硬度が高く耐久性に優れ、また融点が高くスパークによる接触不良対策に有効です接触抵抗も低く、磨耗性に優れ各種コネクター等に用途があります。
Auめっきをフラッシュ程度(0.1〜0.2μ)めっきすることにより電気特性は更に向上し、Auめっきの厚付けと比較してコスト面にメリットがあります。


Ni-B特徴@  融点が高い
 1.Ni-Pの溶融点が約890℃であるのに対して、Ni-Bは約1400〜 1450℃の高融点を有する。 
 2.接点部分のスパークによる接触不良に効果的である。 
 3.高温用プリント基板、高周波回路のバックグランドノイズ防止等 真空高エネルギー導波管の下地めっきなどに 高融点のメリットを生かしての利用例がある。 
Ni-B特徴A  硬度が高い・接触電気抵抗が低い
 1.Hv(ビッカーズ)硬度が析出状態で700〜800である。Ni-Pが500〜550、光沢NIが400〜450であることから約1.5〜2倍の硬度を有する
 2.Ni-Bは5〜7microhm-comでNi-P(30〜120microhm-com)の約1/10である。
 3.径時変化が少なく、電気伝導性が安定している。 
Ni-B特徴B  半田付け性の良さ
 1.Ni-Bは酸化されにくいため、はんだ濡れ性が良い。
 2.プリント基板においては、下地の銅の拡散防止(diffusion barrier)のためNi-Pを3μ程度行い、
   その上にはんだ付け性向上の目的でNi-Bを1μつけるといった事例が多い。
Ni-B特徴C  環境対応
 1.Ni-BはPd(鉛)、Cd(カドミウム)といった有害物質を含まないため、Rohs指令の対応・環境にやさしいめっきである。

Au付加するメリット 耐久性の向上・接触不良(スパーク防止)コストダウン
 1.Ni-Bめっきの上にAu0.1〜0.2μのめっきをすることにより耐久性の向上、Ni-B単層よりも優れた電気特性(接 触抵抗等)、  
   下地にNi-BをすることによるAuめっき厚の低減ーコストダウンのメリットなどが挙げられる 
 2.下地NI-Bが硬く、接触抵抗も低いためトップコートのAuが磨耗しても初期の接触抵抗を保ちます。 
 3.融点が高く、経時変化しにくいので酸化による接触不良スパークなどが発生しづらい。 
 4.従来Auめっきを1μ以上厚付けしたものに対してAuめっき膜厚を下げられることによるコストダウン。
 また、Pd・Auなどの処理を行っていたものなどはNi-B・Auをすることによって同等の性能を維持しPd金属を使用し ないことによりコストダウンが図れます